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STPSC10H065G-TR
シリコン カーバイド ショットキー ダイオード, 650V シリーズ, シングル, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-263
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|---|---|
| 1+ | ¥550.2 (¥605.22) |
| 10+ | ¥371.03 (¥408.133) |
| 100+ | ¥337.82 (¥371.602) |
| 500+ | ¥304.61 (¥335.071) |
| 1000+ | ¥302.45 (¥332.695) |
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¥550 (¥605 税込み)
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製品概要
The STPSC10H065G-TR is a Power Schottky Silicon Carbide Diode features ultra high performance. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650V rating. Due to the Schottky construction no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature. It is especially suited for use in PFC applications and this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.
- No or negligible reverse recovery
- Switching behaviour independent of temperature
- High forward surge capability
技術仕様
製品 範囲
650V
連続 ピーク逆電圧
650V
総電荷量
28.5nC
ピン 数
3 ピン
ダイオード 取付
表面実装
0
ダイオード構成
シングル
平均順電流
10A
ダイオード ケース形状
TO-263 (D2PAK)
動作温度 最大値
175°C
能力
-
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.001724