ダイオード、整流器 | ファーネルジャパン

人気のサプライヤー

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

新しいディスクリート半導体

バイポーラプリバイアス/デジタルトランジスタ

バイポーラプリバイアス/デジタルトランジスタ

ONSEMI

トレンチゲート、-50V～-200V PチャネルパワーMOSFET

トレンチゲート、-50V～-200V PチャネルパワーMOSFET

LITTELFUSE

双极性晶体管

DIOTEC

多种桥式整流器产品，可最大限度地利用电路板空间并提高可靠性

多种桥式整流器产品，可最大限度地利用电路板空间并提高可靠性

DIODES

Nexperia E-Mode Power Gallium Nitride FET's (GaN FET's) for high & low voltage applications.

Nexperia E-Mode Power Gallium Nitride FET's (GaN FET's) for high & low voltage applications.

NEXPERIA

New onsemi 650v SiC MOSFETs

New onsemi 650v SiC MOSFETs

ONSEMI

600V Gallium Nitride (GaN) Transistor

600V Gallium Nitride (GaN) Transistor

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT with full-rated Silicon Diode

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT with full-rated Silicon Diode

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technology for snubber-less hard-switching applications.

XPT series IGBT Thin-wafer Technology for snubber-less hard-switching applications.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes - 650V to 1.7KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MPS Series SiC Schottky Diodes - 650V to 1.7KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT with full-rated Silicon Diode

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT with full-rated Silicon Diode

NEXPERIA

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter

H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter

ONSEMI

NEPCON Japanに出展

NEPCON Japanに出展

ファーネルブース【東6ホール E27-39】へお越しください

NXP

可変容量ダイオード、Varicap

可変容量ダイオード、Varicap

15% OFF online orders Over S$250

15% OFF online orders Over S$250

smart-transport

スマート輸送ソリューションを推進する