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SIDR610DP-T1-RE3
パワーMOSFET, N チャネル, 200 V, 39.6 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO, 表面実装
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 5+ | ¥426.95 (¥469.645) |
| 50+ | ¥307.88 (¥338.668) |
| 100+ | ¥253.47 (¥278.817) |
| 500+ | ¥231.11 (¥254.221) |
| 1500+ | ¥216 (¥237.6) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 5
複数: 5
¥2,135 (¥2,348 税込み)
アイテムのメモ
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製品概要
注意事項
市場における当製品に対する需要により、リードタイムが延長されました。納期は変動する場合がございます。割引対象外商品です。
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
39.6A
トランジスタ ケース タイプ
PowerPAK SO
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
125W
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
200V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.0319ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
4V
ピン 数
8ピン
製品 範囲
TrenchFET
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Germany
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Germany
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000001