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|---|---|
| 1+ | ¥800.25 (¥880.275) |
| 10+ | ¥458.42 (¥504.262) |
| 100+ | ¥453 (¥498.3) |
| 500+ | ¥447.58 (¥492.338) |
| 1000+ | ¥442.16 (¥486.376) |
価格:それぞれ
最小: 1
複数: 1
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アイテムのメモ
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製品概要
The VNP35N07-E is a 70V Fully Auto Protected Power MOSFET made using VIPower technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
- Automotive qualified
- Linear current limitation
- Thermal shutdown
- Short-circuit protection
- Integrated clamp
- Low current drawn from input pin
- Diagnostic feedback through input pin
- ESD protection
- Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
- Compatible with standard power MOSFET
注意事項
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device. Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
18A
トランジスタ ケース タイプ
TO-220
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
125W
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
80V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.028ohm
トランジスタ 取付
スルーホール
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
3V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
関連製品
1 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.00195