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| 数量 | 価格(税込み) |
|---|---|
| 1+ | ¥191.21 (¥210.331) |
| 10+ | ¥88.97 (¥97.867) |
| 100+ | ¥78.43 (¥86.273) |
| 500+ | ¥61.26 (¥67.386) |
| 1000+ | ¥50.57 (¥55.627) |
| 5000+ | ¥45.38 (¥49.918) |
価格:それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥191 (¥210 税込み)
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製品概要
The TIP112 is a NPN complementary silicon epitaxial-base Power Transistor with monolithic Darlington configuration mounted in a JEDEC plastic package. It is intended for use in medium power linear and switching applications.
- Integrated anti-parallel collector-emitter diode
- PNP complementary type is TIP117
技術仕様
トランジスタ極性
NPN
電力損失 Pd
50W
RFトランジスタ ケース
TO-220
DC 電流利得 hFE
500hFE
動作温度 最大値
150°C
能力
-
コレクタ エミッタ間電圧 V(br)ceo
100V
DCコレクタ 電流
2A
ピン 数
3ピン
トランジスタ 取付
スルーホール
製品 範囲
-
0
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.002