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STHU32N65DM6AG
パワーMOSFET, N チャネル, 650 V, 37 A, 0.097 ohm, HU3PAK, 表面実装
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥841.4 (¥925.54) |
| 5+ | ¥814.34 (¥895.774) |
| 10+ | ¥787.28 (¥866.008) |
| 50+ | ¥760.22 (¥836.242) |
| 100+ | ¥733.16 (¥806.476) |
| 250+ | ¥706.1 (¥776.71) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥841 (¥926 税込み)
アイテムのメモ
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技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
37A
トランジスタ ケース タイプ
HU3PAK
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
320W
動作温度 最大値
150°C
能力
AEC-Q101
0
ドレインソース 電圧 Vds
650V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.097ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
4.75V
ピン 数
8ピン
製品 範囲
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Japan
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Japan
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
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製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.00232