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STGE200NB60S
IGBT モジュール, シングル, 200 A, 1.6 V, 600 W, 150 °C, ISOTOP
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥4,639.03 (¥5,102.933) |
| 5+ | ¥4,016.82 (¥4,418.502) |
| 10+ | ¥3,394.61 (¥3,734.071) |
| 50+ | ¥3,327.7 (¥3,660.47) |
| 100+ | ¥3,260.79 (¥3,586.869) |
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最小: 1
複数: 1
¥4,639 (¥5,103 税込み)
アイテムのメモ
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製品概要
The STGE200NB60S is a N-channel low drop PowerMESH™ IGBT using the latest high voltage technology based on a patented strip layout. STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBT with outstanding performances. The suffix S identifies a family optimized to achieve very low VCE(sat) (at maximum frequency of 1kHz).
- High input impedance (voltage driven)
- Low on-voltage drop (Vcesat)
- Off losses include tail current
- Low gate charge
- High current capability
技術仕様
IGBT 構成
シングル
連続コレクタ電流
200A
電力損失
600W
ピン 数
0
IGBT 終端
ネジ
IGBT テクノロジー
-
製品 範囲
-
0
連続コレクタ電流
0
コレクタ エミッタ間飽和電圧
1.6V
動作温度 最大値
150°C
トランジスタ ケース タイプ
ISOTOP
コレクタ エミッタ間電圧（最大）
600V
トランジスタ 取付
パネル
0
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Morocco
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Morocco
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.03