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STD30NF06LT4
パワーMOSFET, N チャネル, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), 表面実装
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 5+ | ¥179.18 (¥197.098) |
| 50+ | ¥152.07 (¥167.277) |
| 100+ | ¥124.96 (¥137.456) |
| 500+ | ¥118.72 (¥130.592) |
| 1000+ | ¥112.47 (¥123.717) |
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最小: 5
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¥896 (¥985 税込み)
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製品概要
The STD30NF06LT4 is a N-channel STripFET™II Power MOSFET with single feature size strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps allowing remarkable manufacturing reproducibility.
- Extremely dv/dt capability
- Logic-level gate drive
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
35A
トランジスタ ケース タイプ
TO-252 (DPAK)
Rds(on) テスト 電圧
2.5V
電力損失
70W
動作温度 最大値
175°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
60V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.028ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
1.7V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
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製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000541