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|---|---|
| 1+ | ¥210.34 (¥231.374) |
| 10+ | ¥98.32 (¥108.152) |
| 100+ | ¥87.41 (¥96.151) |
| 500+ | ¥68.25 (¥75.075) |
| 1000+ | ¥63.92 (¥70.312) |
| 5000+ | ¥59.59 (¥65.549) |
価格:それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥210 (¥231 税込み)
アイテムのメモ
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製品概要
The BDW93C is a 100V Silicon Epitaxial Base NPN Power Transistor in monolithic Darlington configuration. It is intended for use in power linear and switching applications. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- Complementary to the BDW94C
- Integrated anti-parallel collector-emitter diode
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
注意事項
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術仕様
トランジスタ極性
NPN
電力損失 Pd
80W
RFトランジスタ ケース
TO-220
DC 電流利得 hFE
100hFE
動作温度 最大値
150°C
能力
-
コレクタ エミッタ間電圧 V(br)ceo
100V
DCコレクタ 電流
12A
ピン 数
3ピン
トランジスタ 取付
スルーホール
製品 範囲
-
0
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.002