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AT45DB641E-MWHN2B-T
フラッシュ メモリ, DataFlash, シリアル NOR, 64Mbit, 32K ページ x 256バイト, SPI, VDFN-8
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
メーカーRENESAS
メーカー部品番号AT45DB641E-MWHN2B-T
注文コード2910036
製品ラインナップ3V Serial NOR Flash Memories
お客様の部品番号
技術データシート
製造終了
製品情報
メーカーRENESAS
メーカー部品番号AT45DB641E-MWHN2B-T
注文コード2910036
製品ラインナップ3V Serial NOR Flash Memories
技術データシート
フラッシュメモリ タイプシリアル NOR
メモリ 密度64Mbit
メモリ構成32K ページ x 256バイト
インターフェースSPI
IC ケース/ パッケージVDFN
ピン 数8ピン
クロック 周波数 最大値85MHz
アクセス時間-
供給電圧 最小値1.7V
供給電圧 最大値3.6V
供給電圧 標準値-
IC 取付表面実装
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値85°C
製品 範囲3V Serial NOR Flash Memories
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AT45DB641E-MWHN2B-T の代替製品
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技術仕様
フラッシュメモリ タイプ
シリアル NOR
メモリ構成
32K ページ x 256バイト
IC ケース/ パッケージ
VDFN
クロック 周波数 最大値
85MHz
供給電圧 最小値
1.7V
供給電圧 標準値
-
動作温度 最小値
-40°C
製品 範囲
3V Serial NOR Flash Memories
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メモリ 密度
64Mbit
インターフェース
SPI
ピン 数
8ピン
アクセス時間
-
供給電圧 最大値
3.6V
IC 取付
表面実装
動作温度 最大値
85°C
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Taiwan
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Taiwan
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.0001