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AT45DB041E-SSHN2B-T
フラッシュ メモリ, DataFlash, シリアル NOR, 4Mbit, 2048 ページ x 256 バイト, SPI, NSOIC-8
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
メーカーRENESAS
メーカー部品番号AT45DB041E-SSHN2B-T
注文コード2909999
製品ラインナップ3V Serial NOR Flash Memories
お客様の部品番号
技術データシート
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8046 3-4 営業日以内に配達(UK 在庫)
| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥197.69 (¥217.459) |
| 10+ | ¥178.25 (¥196.075) |
| 50+ | ¥175.82 (¥193.402) |
| 100+ | ¥173.38 (¥190.718) |
| 250+ | ¥168.53 (¥185.383) |
| 500+ | ¥163.66 (¥180.026) |
| 1000+ | ¥159.45 (¥175.395) |
| 2500+ | ¥156.05 (¥171.655) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥198 (¥217 税込み)
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製品情報
メーカーRENESAS
メーカー部品番号AT45DB041E-SSHN2B-T
注文コード2909999
製品ラインナップ3V Serial NOR Flash Memories
技術データシート
フラッシュメモリ タイプシリアル NOR
メモリ 密度4Mbit
メモリ構成2048ページ x 256バイト
インターフェースSPI
IC ケース/ パッケージNSOIC
ピン 数8ピン
クロック 周波数 最大値85MHz
アクセス時間-
供給電圧 最小値1.65V
供給電圧 最大値3.6V
供給電圧 標準値-
IC 取付表面実装
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値85°C
製品 範囲3V Serial NOR Flash Memories
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技術仕様
フラッシュメモリ タイプ
シリアル NOR
メモリ構成
2048ページ x 256バイト
IC ケース/ パッケージ
NSOIC
クロック 周波数 最大値
85MHz
供給電圧 最小値
1.65V
供給電圧 標準値
-
動作温度 最小値
-40°C
製品 範囲
3V Serial NOR Flash Memories
0
メモリ 密度
4Mbit
インターフェース
SPI
ピン 数
8ピン
アクセス時間
-
供給電圧 最大値
3.6V
IC 取付
表面実装
動作温度 最大値
85°C
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85423261
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.0001