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| 数量 | 価格(税込み) |
|---|---|
| 1+ | ¥184.73 (¥203.203) |
| 10+ | ¥157.18 (¥172.898) |
| 25+ | ¥152.86 (¥168.146) |
| 50+ | ¥148.54 (¥163.394) |
| 100+ | ¥144.22 (¥158.642) |
| 500+ | ¥133.2 (¥146.52) |
価格:それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥185 (¥203 税込み)
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製品情報
メーカーONSEMI
メーカー部品番号QRD1114
注文コード1467858
技術データシート
感知方法反射
検出 距離 / スロット 幅-
供給電圧 最小値-
感知 距離1.27mm
順電流 If50mA
供給電圧 最大値-
逆電圧 Vr5V
センサ ケース / パッケージモジュール
コレクタ エミッタ間電圧 V(br)ceo30V
コレクタ エミッタ間電圧(最大)30V
順電圧1.7V
コレクタ 電流 IC 最大値1mA
センサ 出力 タイプフォト トランジスタ
IP 保護等級-
センサ 取付スルーホール
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値85°C
製品 範囲-
能力-
0
製品概要
The QRD1114 is a Reflective Object Sensor consists of an infrared emitting diode and an NPN silicon photodarlington mounted side by side in a black plastic housing. The on-axis radiation of the emitter and the on-axis response of the detector are both perpendicular to the face of the QRD1114. The photodarlington responds to radiation emitted from the diode only when a reflective object or surface is in the field of view of the detector.
- Phototransistor Output
- No Contact Surface Sensing
- Unfocused for Sensing Diffused Surfaces
- Daylight Filter on Sensor
技術仕様
感知方法
反射
供給電圧 最小値
-
順電流 If
50mA
逆電圧 Vr
5V
コレクタ エミッタ間電圧 V(br)ceo
30V
順電圧
1.7V
センサ 出力 タイプ
フォト トランジスタ
センサ 取付
スルーホール
動作温度 最大値
85°C
能力
-
検出 距離 / スロット 幅
-
感知 距離
1.27mm
供給電圧 最大値
-
センサ ケース / パッケージ
モジュール
コレクタ エミッタ間電圧(最大)
30V
コレクタ 電流 IC 最大値
1mA
IP 保護等級
-
動作温度 最小値
-40°C
製品 範囲
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000318