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NIS5132MN2TXG
電子 ヒューズ (eFuse), ハイサイド N−チャネル FET, 9 V ～ 18 V 電源, DFN-10
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥178.25 (¥196.075) |
| 10+ | ¥116.35 (¥127.985) |
| 100+ | ¥96.26 (¥105.886) |
| 500+ | ¥92.37 (¥101.607) |
| 1000+ | ¥89.13 (¥98.043) |
| 2500+ | ¥85.72 (¥94.292) |
| 5000+ | ¥85.4 (¥93.94) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥178 (¥196 税込み)
アイテムのメモ
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製品情報
メーカーONSEMI
メーカー部品番号NIS5132MN2TXG
注文コード2728367
技術データシート
IC 機能eFuse (電子ヒューズ)
供給電圧 最小値-
供給電圧 最大値-
IC パッケージタイプDFN
ピン 数10ピン
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値150°C
製品 範囲-
自動車用適合規格-
0
0
技術仕様
IC 機能
eFuse (電子ヒューズ)
供給電圧 最大値
-
ピン 数
10ピン
動作温度 最大値
150°C
自動車用適合規格
-
0
供給電圧 最小値
-
IC パッケージタイプ
DFN
動作温度 最小値
-40°C
製品 範囲
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Malaysia
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Malaysia
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85363010
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
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製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000129