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NCD5702DR2G
IGBT ゲート ドライバ, ハイサイド / ローサイド, 6.8A, -18V ～ +22V 電源, SOIC-16
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メーカー標準リードタイム: 21 週間
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥354.86 (¥390.346) |
| 10+ | ¥236.58 (¥260.238) |
| 50+ | ¥222.81 (¥245.091) |
| 100+ | ¥209.03 (¥229.933) |
| 250+ | ¥194.45 (¥213.895) |
| 500+ | ¥190.68 (¥209.748) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥355 (¥390 税込み)
アイテムのメモ
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製品情報
メーカーONSEMI
メーカー部品番号NCD5702DR2G
注文コード2895669
技術データシート
チャネル数1チャネル
ゲートドライバ タイプ非絶縁
ドライバー 構成ハイサイド および ローサイド
パワースイッチ タイプIGBT
ピン 数16ピン
IC ケース/ パッケージSOIC
IC 取付表面実装
入力 タイプ反転
電源電流7.8A
シンク電流6.8A
供給電圧 最小値-
供給電圧 最大値35V
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値125°C
入力 遅延59ns
出力 遅延54ns
製品 範囲-
能力-
0
0
技術仕様
チャネル数
1チャネル
ドライバー 構成
ハイサイド および ローサイド
ピン 数
16ピン
IC 取付
表面実装
電源電流
7.8A
供給電圧 最小値
-
動作温度 最小値
-40°C
入力 遅延
59ns
製品 範囲
-
0
ゲートドライバ タイプ
非絶縁
パワースイッチ タイプ
IGBT
IC ケース/ パッケージ
SOIC
入力 タイプ
反転
シンク電流
6.8A
供給電圧 最大値
35V
動作温度 最大値
125°C
出力 遅延
54ns
能力
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.0001