ページを印刷
MUN2214T1G
バイポーラ プリバイアス / デジタル トランジスタ, BRT, シングル NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
製品情報
メーカーONSEMI
メーカー部品番号MUN2214T1G
注文コード2317629
技術データシート
トランジスタ極性シングル NPN
デジタルトランジスタ極性0
コレクタ エミッタ間電圧 V(br)ceo0
コレクタ エミッタ間電圧（最大）NPN50V
連続コレクタ電流 Ic0
コレクタ エミッタ間電圧（最大）PNP-
連続コレクタ電流100mA
ベース入力抵抗 R１10kohm
ベース エミッタ間抵抗 R２47kohm
抵抗比 R1 / R20
トランジスタ ケース タイプSC-59
RFトランジスタ ケース0
ピン 数3 ピン
トランジスタ 取付表面実装
電力損失338mW
動作温度 最大値150°C
DC 電流利得 hFE 最小値80hFE
製品 範囲-
能力-
自動車用適合規格0
0
0
製品概要
The MUN2214T1G is a NPN Bipolar Digital Transistor designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device.
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
技術仕様
トランジスタ極性
シングル NPN
コレクタ エミッタ間電圧 V(br)ceo
0
連続コレクタ電流 Ic
0
連続コレクタ電流
100mA
ベース エミッタ間抵抗 R２
47kohm
トランジスタ ケース タイプ
SC-59
ピン 数
3 ピン
電力損失
338mW
DC 電流利得 hFE 最小値
80hFE
能力
-
0
デジタルトランジスタ極性
0
コレクタ エミッタ間電圧（最大）NPN
50V
コレクタ エミッタ間電圧（最大）PNP
-
ベース入力抵抗 R１
10kohm
抵抗比 R1 / R2
0
RFトランジスタ ケース
0
トランジスタ 取付
表面実装
動作温度 最大値
150°C
製品 範囲
-
自動車用適合規格
0
0
MUN2214T1G の代替製品
4 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000032