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4N35S-M
フォトカプラ, トランジスタ 出力, 1 チャネル, 表面実装 DIP, 6 ピン, 60 mA, 7.5 kV, 100 %
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥109.07 (¥119.977) |
| 10+ | ¥60.3 (¥66.33) |
| 25+ | ¥54.33 (¥59.763) |
| 50+ | ¥48.36 (¥53.196) |
| 100+ | ¥42.38 (¥46.618) |
| 500+ | ¥41.54 (¥45.694) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
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アイテムのメモ
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製品概要
The 4N35S-M is a 6-pin general purpose Phototransistor Optocoupler consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor. It is suitable for digital logic inputs and microprocessor inputs.
- 850V Maximum working insulation voltage
- 6000V Highest allowable over-voltage
- -40 to +100°C Operating temperature range
技術仕様
チャネル数
1 チャネル
ピン 数
6ピン
絶縁 電圧
7.5kV
コレクタ エミッタ間電圧 V(br)ceo
30V
0
フォトカプラ ケース スタイル
表面実装 DIP
順電流 If 最大値
60mA
CTR 最小
100%
製品 範囲
-
技術文書 (1)
4N35S-M の代替製品
1 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.001123