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MT29F4G08ABAEAWP-IT:E
フラッシュメモリ , SLC NAND, 4 Gbit, 512M x 8ビット, パラレル, TSOP-I, 48 ピン
製造終了
製品情報
メーカーMICRON
メーカー部品番号MT29F4G08ABAEAWP-IT:E
注文コード3861371
技術データシート
フラッシュメモリ タイプSLC NAND
メモリ 密度4Gbit
メモリ構成512M x 8ビット
インターフェースパラレル
IC ケース/ パッケージTSOP-I
ピン 数48ピン
クロック 周波数 最大値50MHz
アクセス時間16ns
供給電圧 最小値2.7V
供給電圧 最大値3.6V
供給電圧 標準値3.3V
IC 取付表面実装
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値85°C
製品 範囲3.3V Parallel NAND Flash Memories
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技術仕様
フラッシュメモリ タイプ
SLC NAND
メモリ構成
512M x 8ビット
IC ケース/ パッケージ
TSOP-I
クロック 周波数 最大値
50MHz
供給電圧 最小値
2.7V
供給電圧 標準値
3.3V
動作温度 最小値
-40°C
製品 範囲
3.3V Parallel NAND Flash Memories
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メモリ 密度
4Gbit
インターフェース
パラレル
ピン 数
48ピン
アクセス時間
16ns
供給電圧 最大値
3.6V
IC 取付
表面実装
動作温度 最大値
85°C
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Singapore
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Singapore
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.02268