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MT28EW512ABA1HJS-0SIT
フラッシュメモリ , パラレル NOR, 512 Mbit, 32M x 16ビット / 64M x 8ビット, パラレル, TSOP, 56 ピン
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
メーカーMICRON
メーカー部品番号MT28EW512ABA1HJS-0SIT
注文コード3861354
製品ラインナップ3V Parallel NOR Flash Memories
お客様の部品番号
技術データシート
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥2,297.1 (¥2,526.81) |
| 10+ | ¥2,134.03 (¥2,347.433) |
価格：それぞれ
最小: 1
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製品情報
メーカーMICRON
メーカー部品番号MT28EW512ABA1HJS-0SIT
注文コード3861354
製品ラインナップ3V Parallel NOR Flash Memories
技術データシート
フラッシュメモリ タイプパラレル NOR
メモリ 密度512Mbit
インターフェースパラレル
IC ケース/ パッケージTSOP
ピン 数56ピン
クロック 周波数 最大値-
アクセス時間95ns
供給電圧 最小値2.7V
供給電圧 最大値3.6V
供給電圧 標準値3V
IC 取付表面実装
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値85°C
製品 範囲3V Parallel NOR Flash Memories
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技術仕様
フラッシュメモリ タイプ
パラレル NOR
メモリ構成
32M x 16ビット / 64M x 8ビット
IC ケース/ パッケージ
TSOP
クロック 周波数 最大値
-
供給電圧 最小値
2.7V
供給電圧 標準値
3V
動作温度 最小値
-40°C
製品 範囲
3V Parallel NOR Flash Memories
メモリ 密度
512Mbit
インターフェース
パラレル
ピン 数
56ピン
アクセス時間
95ns
供給電圧 最大値
3.6V
IC 取付
表面実装
動作温度 最大値
85°C
0
技術文書 (1)
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Singapore
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Singapore
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.00667