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S70FL01GSAGBHIC10
フラッシュメモリ , MirrorBit Eclipse アーキテクチャ, シリアル NOR, 1 Gbit, 128M x 8ビット, SPI, FBGA, 24 ピン
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
メーカーINFINEON
メーカー部品番号S70FL01GSAGBHIC10
注文コード2772807
製品ラインナップ3V Serial NOR Flash Memories
別名SP005667949, S70FL01GSAGBHIC10
お客様の部品番号
技術データシート
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537 3-4 営業日以内に配達(UK 在庫)
| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥2,359.21 (¥2,595.131) |
| 10+ | ¥2,189.08 (¥2,407.988) |
| 25+ | ¥2,121.03 (¥2,333.133) |
| 50+ | ¥2,070.8 (¥2,277.88) |
| 100+ | ¥2,018.95 (¥2,220.845) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥2,359 (¥2,595 税込み)
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製品情報
メーカーINFINEON
メーカー部品番号S70FL01GSAGBHIC10
注文コード2772807
製品ラインナップ3V Serial NOR Flash Memories
別名SP005667949, S70FL01GSAGBHIC10
技術データシート
フラッシュメモリ タイプシリアル NOR
メモリ 密度1Gbit
メモリ構成128M x 8ビット
インターフェースSPI
IC ケース/ パッケージFBGA
ピン 数24ピン
クロック 周波数 最大値133MHz
アクセス時間-
供給電圧 最小値2.7V
供給電圧 最大値3.6V
供給電圧 標準値3V
IC 取付表面実装
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値85°C
製品 範囲3V Serial NOR Flash Memories
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製品概要
S70FL01GSAGBHIC10 is a 1Gbit (128Mbyte) 3.0V SPI flash memory.
- 1Gbit technology, 65nm MirrorBit process technology
- 133MHz speed, SPI clock polarity and phase modes 0 and 3
- Double data rate (DDR) option, extended Addressing: 32bit address
- Common flash interface (CFI) data for configuration information
- Quad-input page programming (QPP) for slow clock systems
- Minimum 100,000 program-erase cycles, 20 Year minimum Data Retention
- One time program (OTP) array of 2048 bytes
- Core supply voltage range from 2.7V to 3.6V
- I/O supply voltage range from 1.65V to 3.6V
- Industrial temperature range from -40°C to + 85°C, 24-ball BGA package
技術仕様
フラッシュメモリ タイプ
シリアル NOR
メモリ構成
128M x 8ビット
IC ケース/ パッケージ
FBGA
クロック 周波数 最大値
133MHz
供給電圧 最小値
2.7V
供給電圧 標準値
3V
動作温度 最小値
-40°C
製品 範囲
3V Serial NOR Flash Memories
0
メモリ 密度
1Gbit
インターフェース
SPI
ピン 数
24ピン
アクセス時間
-
供給電圧 最大値
3.6V
IC 取付
表面実装
動作温度 最大値
85°C
0
技術文書 (1)
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85423275
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.001361