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S29GL512T10DHI020
フラッシュメモリ , MirrorBit Eclipse アーキテクチャ, パラレル NOR, 512 Mbit, 64M x 8ビット, CFI, パラレル, FBGA, 64 ピン
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
メーカーINFINEON
メーカー部品番号S29GL512T10DHI020
注文コード2768054
製品ラインナップ3V Parallel NOR Flash Memories
別名SP005670865, S29GL512T10DHI020
お客様の部品番号
技術データシート
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メーカー標準リードタイム: 12 週間
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥1,670.58 (¥1,837.638) |
| 10+ | ¥1,550.67 (¥1,705.737) |
| 25+ | ¥1,468.04 (¥1,614.844) |
| 50+ | ¥1,430.76 (¥1,573.836) |
| 100+ | ¥1,370.81 (¥1,507.891) |
| 250+ | ¥1,341.65 (¥1,475.815) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥1,671 (¥1,838 税込み)
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製品情報
メーカーINFINEON
メーカー部品番号S29GL512T10DHI020
注文コード2768054
製品ラインナップ3V Parallel NOR Flash Memories
別名SP005670865, S29GL512T10DHI020
技術データシート
フラッシュメモリ タイプパラレル NOR
メモリ 密度512Mbit
メモリ構成64M x 8ビット
インターフェースCFI, パラレル
IC ケース/ パッケージFBGA
ピン 数64ピン
クロック 周波数 最大値-
アクセス時間100ns
供給電圧 最小値2.7V
供給電圧 最大値3.6V
供給電圧 標準値3V
IC 取付表面実装
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値85°C
製品 範囲3V Parallel NOR Flash Memories
0
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技術仕様
フラッシュメモリ タイプ
パラレル NOR
メモリ構成
64M x 8ビット
IC ケース/ パッケージ
FBGA
クロック 周波数 最大値
-
供給電圧 最小値
2.7V
供給電圧 標準値
3V
動作温度 最小値
-40°C
製品 範囲
3V Parallel NOR Flash Memories
0
メモリ 密度
512Mbit
インターフェース
CFI, パラレル
ピン 数
64ピン
アクセス時間
100ns
供給電圧 最大値
3.6V
IC 取付
表面実装
動作温度 最大値
85°C
0
技術文書 (1)
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000789