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メーカーINFINEON
メーカー部品番号S29GL01GT10TFI020
注文コード2768057
製品ラインナップ3V Parallel NOR Flash Memories
別名SP005664121, S29GL01GT10TFI020
お客様の部品番号
技術データシート
注文可能
メーカー標準リードタイム: 12 週間
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| 数量 | 価格(税込み) |
|---|---|
| 1+ | ¥2,466.16 (¥2,712.776) |
| 10+ | ¥2,286.3 (¥2,514.93) |
| 25+ | ¥2,215.01 (¥2,436.511) |
| 50+ | ¥2,060.41 (¥2,266.451) |
| 100+ | ¥1,946 (¥2,140.6) |
価格:それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥2,466 (¥2,713 税込み)
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製品情報
メーカーINFINEON
メーカー部品番号S29GL01GT10TFI020
注文コード2768057
製品ラインナップ3V Parallel NOR Flash Memories
別名SP005664121, S29GL01GT10TFI020
技術データシート
フラッシュメモリ タイプパラレル NOR
メモリ 密度1Gbit
メモリ構成128M x 8ビット
インターフェースCFI, パラレル
IC ケース/ パッケージTSOP
ピン 数56ピン
クロック 周波数 最大値-
アクセス時間100ns
供給電圧 最小値2.7V
供給電圧 最大値3.6V
供給電圧 標準値-
IC 取付表面実装
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値85°C
製品 範囲3V Parallel NOR Flash Memories
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製品概要
S29GL01GT10TFI020 is a MIRRORBIT™ flash product fabricated on 45nm process technology. This device offers a fast page access time as fast as 15ns, with a corresponding random access time as fast as 100ns. It features a write buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. This makes the device ideal for today’s embedded applications that require higher density, better performance, and lower power consumption.
- 100ns random access time, single supply (VCC) for read/program/erase (2.7V to 3.6V)
- 45-nm MIRRORBIT™ technology, wide I/O voltage range (VIO) from 1.65V to VCC
- ×8/×16 data bus, asynchronous 32-byte page read
- Single word and multiple program on same word options
- Automatic error checking and correction (ECC)-internal hardware ECC with single bit error correction
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Volatile and non-volatile protection methods for each sector
- Separate 2048-byte one-time program (OTP) array
- 100,000 program/erase cycles, 20-year data retention
- Industrial temperature range from -40°C to +85°C, 56-pin TSOP package
技術仕様
フラッシュメモリ タイプ
パラレル NOR
メモリ構成
128M x 8ビット
IC ケース/ パッケージ
TSOP
クロック 周波数 最大値
-
供給電圧 最小値
2.7V
供給電圧 標準値
-
動作温度 最小値
-40°C
製品 範囲
3V Parallel NOR Flash Memories
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メモリ 密度
1Gbit
インターフェース
CFI, パラレル
ピン 数
56ピン
アクセス時間
100ns
供給電圧 最大値
3.6V
IC 取付
表面実装
動作温度 最大値
85°C
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技術文書 (1)
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号:85423269
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.051709