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BSM180D12P2E002
炭化ケイ素 MOSFET, ハーフブリッジ, デュアル N チャネル, 204 A, 1.2 kV, モジュール
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製品情報
メーカーROHM
メーカー部品番号BSM180D12P2E002
注文コード3573220
技術データシート
MOSFET モジュール 構成ハーフブリッジ
チャネル タイプデュアル N チャネル
連続ドレイン電流 Id204A
ドレインソース 電圧 Vds1.2kV
ドレインソース オン状態 抵抗-
トランジスタ ケース タイプモジュール
ピン 数-
Rds(on) テスト 電圧-
ゲート ソース 閾値電圧 最大値4V
電力損失1.36kW
動作温度 最大値150°C
製品 範囲-
0
製品概要
BSM180D12P2E002 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-DMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, inverter, converter, photovoltaics, wind power generation, induction heating equipment.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 1.6V drain source voltage (Tj= 25°C, VGS=0V, IS=180A)
- 1.6 to 4V gate-source voltage range (VDS=10V, ID=35.2mA)
- 204A drain current DC (Tc=60°C), 204A source current
- 2.2V typical static drain-source on-state voltage (Tj=25°C, ID180A, VGS=18V)
- 3.2mA maximum drain cut off current (VDS=1200V, VGS=0V)
- 0.5µA maximum gate-source leakage current (VGS=22V, VDS=0V)
- 45ns typical switching characteristics (VGS(on)=18V, VGS(off)=0V)
- Operating junction temperature range from -40 to 150°C
技術仕様
MOSFET モジュール 構成
ハーフブリッジ
連続ドレイン電流 Id
204A
ドレインソース オン状態 抵抗
-
ピン 数
-
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
4V
動作温度 最大値
150°C
0
チャネル タイプ
デュアル N チャネル
ドレインソース 電圧 Vds
1.2kV
トランジスタ ケース タイプ
モジュール
Rds(on) テスト 電圧
-
電力損失
1.36kW
製品 範囲
-
技術文書 (1)
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Japan
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Japan
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.28