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ROHM BSM180D12P2E002
炭化ケイ素 MOSFET, ハーフブリッジ, デュアル N チャネル, 204 A, 1.2 kV, モジュール
- 製造業者:
- ROHM ROHM
- メーカー 部品番号:
- BSM180D12P2E002
- ご注文 コード:
- 3573220
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- 技術データシート:
- BSM180D12P2E002 データシート
- ECAD / MCAD
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製品概要
BSM180D12P2E002 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-DMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, inverter, converter, photovoltaics, wind power generation, induction heating equipment.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 1.6V drain source voltage (Tj= 25°C, VGS=0V, IS=180A)
- 1.6 to 4V gate-source voltage range (VDS=10V, ID=35.2mA)
- 204A drain current DC (Tc=60°C), 204A source current
- 2.2V typical static drain-source on-state voltage (Tj=25°C, ID180A, VGS=18V)
- 3.2mA maximum drain cut off current (VDS=1200V, VGS=0V)
- 0.5µA maximum gate-source leakage current (VGS=22V, VDS=0V)
- 45ns typical switching characteristics (VGS(on)=18V, VGS(off)=0V)
- Operating junction temperature range from -40 to 150°C
製品情報
技術文書 (1)
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| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
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