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NVHL080N120SC1
炭化ケイ素 MOSFET, EliteSiC, シングル, N チャネル, 44 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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|---|---|
| 1+ | ¥2,177.74 (¥2,395.514) |
| 5+ | ¥1,949.28 (¥2,144.208) |
| 10+ | ¥1,720.81 (¥1,892.891) |
| 50+ | ¥1,652.2 (¥1,817.42) |
| 100+ | ¥1,583.59 (¥1,741.949) |
| 250+ | ¥1,546.93 (¥1,701.623) |
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製品概要
NVHL080N120SC1 is a silicon carbide (SiC) MOSFET. Typical applications are automotive on board charger, automotive DC-DC converter for EV/HEV.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- 100% UIL tested
- Low effective output capacitance (typ. Coss= 80pF)
- Drain-to-source voltage is 1200V at TJ = 25°C
- Continuous drain current RJC is 31A at TC = 25°C
- Power dissipation RJC is 89W at TC = 100°C
- Single pulse surge drain current capability is 132A at TA = 25°C, tp = 10µs, RG = 4.7ohm
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- TO247-3L package
技術仕様
MOSFET モジュール 構成
シングル
連続ドレイン電流 Id
44A
ドレインソース オン状態 抵抗
0.08ohm
ピン 数
3ピン
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
2.5V
動作温度 最大値
175°C
0
チャネル タイプ
N チャネル
ドレインソース 電圧 Vds
1.2kV
トランジスタ ケース タイプ
TO-247
Rds(on) テスト 電圧
20V
電力損失
348W
製品 範囲
EliteSiC Series
0
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠Y-Ex
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.010584