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ONSEMI NVHL080N120SC1
炭化ケイ素 MOSFET, EliteSiC, シングル, N チャネル, 44 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
- 製造業者:
- ONSEMI ONSEMI
- メーカー 部品番号:
- NVHL080N120SC1
- ご注文 コード:
- 3018978
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- 製品 範囲
- EliteSiC Series
- 技術データシート:
- NVHL080N120SC1 データシート
- ECAD / MCAD
-
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NVHL080N120SC1 is a silicon carbide (SiC) MOSFET. Typical applications are automotive on board charger, automotive DC-DC converter for EV/HEV.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- 100% UIL tested
- Low effective output capacitance (typ. Coss= 80pF)
- Drain-to-source voltage is 1200V at TJ = 25°C
- Continuous drain current RJC is 31A at TC = 25°C
- Power dissipation RJC is 89W at TC = 100°C
- Single pulse surge drain current capability is 132A at TA = 25°C, tp = 10µs, RG = 4.7ohm
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- TO247-3L package
製品情報
技術文書 (2)
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- 1+
- 5+
- 10+
- 50+
- 100+
- 250+
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|---|---|
| 1+ | ¥1,964.99 (¥2,161.49) | ( ) |
| 5+ | ¥1,888.25 (¥2,077.08) | ( ) |
| 10+ | ¥1,811.50 (¥1,992.65) | ( ) |
| 50+ | ¥1,798.71 (¥1,978.58) | ( ) |
| 100+ | ¥1,785.92 (¥1,964.51) | ( ) |
| 250+ | ¥1,709.03 (¥1,879.93) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|
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