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BAS416,115
小信号ダイオード, シングル, 85 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
製品概要
The BAS416 from NXP is surface mount low leakage diode in SOD-323 package. This is an Epitaxial, medium-speed switching diode with a low leakage current and encapsulated in a small SOD323 SMD plastic package.
- Automotive grade AEC-Q101 qualified
- Maximum repetitive reverse voltage of 85V
- Power dissipation is 250mW
- Operating junction temperature of 150°C
- Non repetitive peak forward surge current is 4A
- Reverse recovery time of 3µs
- Forward voltage of 1.25V at IF 150mA
注意事項
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術仕様
ダイオード構成
シングル
平均順電流
200mA
逆回復時間
3µs
動作温度 最大値
150°C
ピン 数
2ピン
製品 範囲
BAS41
0
連続 ピーク逆電圧
85V
順電圧 最大値
1.25V
順方向サージ電流
4A
ダイオード ケース形状
SOD-323
ダイオード 取付
表面実装
能力
-
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000004