ページを印刷
NTS4001NT1G
パワーMOSFET, N チャネル, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, 表面実装
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
270mA
トランジスタ ケース タイプ
SOT-323
Rds(on) テスト 電圧
4V
電力損失
330mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
30V
ドレインソース オン状態 抵抗
1.5ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
1.2V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
関連製品
2 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000005