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ONSEMI NTS4001NT1G
パワーMOSFET, N チャネル, 30 V, 270 mA, 1 ohm, SOT-323, 表面実装
- 製造業者:
- ONSEMI ONSEMI
- メーカー 部品番号:
- NTS4001NT1G
- ご注文 コード:
- 2442263
-
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- 技術データシート:
- NTS4001NT1G データシート
- ECAD / MCAD
-
製品概要
NTS4001NT1G is a single N-channel small signal MOSFET. This device is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. It is used in applications such as low-side load switch, Li-ion battery-supplied devices, cell phones, PDAs, DSC, buck converters, and level shifts.
- Low gate charge for fast switching
- ESD protected gate
- 270mA continuous drain current
- 800mA pulse drain current
- Drain-to-source breakdown voltage is 30V minimum at (VGS = 0V, ID = 100µA)
- Gate-to-source leakage current is ±1µA maximum at (VDS = 0V, VGS = ±10V)
- Input capacitance is 20pF typical at (VGS = 0V, f = 1.0MHz, VDS = 5.0V)
- Turn-on delay time is 17ns typical at (VGS = 4.5V, VDD = 5V, ID = 10mA, RG = 50 ohm)
- Gate threshold temperature coefficient is -3.4mV/°C typical at ((TJ = 25°C)
- Junction temperature range from -55°C to 150°C, SC-70 package
製品情報
技術文書 (2)
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¥11.43
(
¥12.57
消費税込み)
価格設定を利用できません。カスタマーサービスにお問い合わせしてください。
- 価格:
- 各 (フルリールで提供)
Multiple: 3000 最小: 3000
- 3000+
- 9000+
- 24000+
- 45000+
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|---|---|
| 3000+ | ¥11.43 (¥12.57) | ( ) |
| 9000+ | ¥9.71 (¥10.68) | ( ) |
| 24000+ | ¥9.31 (¥10.24) | ( ) |
| 45000+ | ¥9.11 (¥10.02) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|
価格設定を利用できません。カスタマーサービスにお問い合わせしてください。
3000 (カットテープ 1453633) x 14.61 = ¥43,830
合計金額: ¥43,830
(¥48,213 消費税込み)
3000 (リール 2442263) x 11.43 = ¥34,290
合計金額: ¥34,290
(¥37,719 消費税込み)
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