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BZV55-C12,115
ツェナー シングル ダイオード, 12 V, 500 mW, SOD-80C, 2 ピン, 200 °C, 表面実装
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
製品概要
The BZV55 series from NXP are surface mount low power voltage regulator diodes which are hermetically sealed in SOD80C package. The device features non repetitive peak reverse power dissipation ≤ 40 W, total power dissipation≤ 500mW and low differential resistance applicable at general regulation functions.
- Wide working voltage range from 2.4V to 75V (E24 range)
- Total power dissipation of 400mW at Tamb ≤ 50°C
- Operating junction temperature range from -65°C to 200°C
- Available in ±2% and ±5% tolerance
- Forward current of 250mA
- Maximum forward voltage VF of 900mV at IF 10mA
技術仕様
ツェナー 電圧 標準値
12V
ダイオード ケース形状
SOD-80C
動作温度 最大値
200°C
製品 範囲
BZV55
0
電力損失
500mW
ピン 数
2ピン
ダイオード 取付
表面実装
能力
-
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Hong Kong
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Hong Kong
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000035