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VISHAY SIHH070N60EF-T1GE3
パワーMOSFET, N チャネル, 600 V, 36 A, 0.071 ohm, PowerPAK, 表面実装
- 製造業者:
- VISHAY VISHAY
- メーカー 部品番号:
- SIHH070N60EF-T1GE3
- ご注文 コード:
- 3263504
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- 製品 範囲
- EF
- 技術データシート:
- SIHH070N60EF-T1GE3 データシート
製品範囲選択 (EF)
この製品範囲のすべてを表示する製品概要
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg, low effective capacitance (Co(er))
- Reduced switching and conduction losses, avalanche energy rated (UIS)
- Maximum power dissipation is 202W (TC = 25°C)
- Gate-source threshold voltage range from 3 to 5V (TJ = 25°C, VDS = VGS, ID = 250μA)
- Drain-source breakdown voltage is 600V (VGS = 0V, ID = 250μA, TJ = 25°C)
- Continuous drain current (TJ = 150 °C) is 36A (TC = 25°C, VGS at 10V)
- Turn-on delay time is 36ns, fall time is 38ns (typ, VDD = 480V, ID = 15A, VGS = 10V, Rg = 9.1ohm)
- Diode forward voltage is 1.2V (TJ = 25 °C, IS = 15A, VGS = 0V)
- PowerPAK 8 x 8 package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
注意事項
製品情報
技術文書 (2)
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340 当社 SG 倉庫から 2-3 営業日以内に配達 :(SG 在庫) 月~金 17:00 以前の注文(公休日を除く)
960 当社 UK 倉庫から 3-4 営業日以内に配達 :(英国在庫) 月~金 17:00 以前の注文(公休日を除く)
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960 当社 UK 倉庫から 3-4 営業日以内に配達
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価格設定を利用できません。カスタマーサービスにお問い合わせしてください。
- 価格:
- 各(カットテープで提供)
- 1+
- 5+
- 10+
- 50+
- 100+
- 250+
数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格(消費税込み) |
---|---|---|
1+ | ¥1,238.33 (¥1,362.16) | ( ) |
5+ | ¥1,070.61 (¥1,177.67) | ( ) |
10+ | ¥902.88 (¥993.17) | ( ) |
50+ | ¥837.11 (¥920.82) | ( ) |
100+ | ¥771.34 (¥848.47) | ( ) |
250+ | ¥716.94 (¥788.63) | ( ) |
数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格(消費税込み) |
---|
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