ページを印刷
CSD17308Q3
パワーMOSFET, N チャネル, 30 V, 47 A, 9400 µohm, SON, 表面実装
148 在庫有り
さらに必要ですか?
148 3-4 営業日以内に配達(UK 在庫)
| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥211.09 (¥232.199) |
| 10+ | ¥133.12 (¥146.432) |
| 100+ | ¥88.23 (¥97.053) |
| 500+ | ¥68.85 (¥75.735) |
| 1000+ | ¥54.04 (¥59.444) |
| 5000+ | ¥53.89 (¥59.279) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥211 (¥232 税込み)
アイテムのメモ
この注文のみ、注文確認書、請求書、発送通知に追加されます。
この番号は、注文確認書、請求書、発送通知書、Web確認メール、商品ラベルに記載されます。
製品概要
The CSD17308Q3 is a 30V N-channel NexFET™ Power MOSFET with low thermal resistance and optimized for 5V gate drive. It is been designed to minimize losses in power conversion and optimized for control or synchronous FET applications. Suitable for point of load synchronous buck converter for applications in networking, telecom and computing systems.
- Ultra low Qg and Qgd
- Avalanche rated
- Halogen-free
- Optimized for 5V gate drive
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
47A
トランジスタ ケース タイプ
SON
Rds(on) テスト 電圧
4.5V
電力損失
2.7W
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
30V
ドレインソース オン状態 抵抗
9400µohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
1.3V
ピン 数
8ピン
製品 範囲
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠Y-Ex
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000068