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STD26P3LLH6
パワーMOSFET, P チャネル, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), 表面実装
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥227.98 (¥250.778) |
| 10+ | ¥158.4 (¥174.24) |
| 100+ | ¥118.35 (¥130.185) |
| 500+ | ¥92.19 (¥101.409) |
| 1000+ | ¥80.09 (¥88.099) |
| 5000+ | ¥77.21 (¥84.931) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥228 (¥251 税込み)
アイテムのメモ
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製品情報
メーカー部品番号STD26P3LLH6
注文コード2629747
製品ラインナップDeepGATE STripFET VI
技術データシート
チャネル タイプP チャネル
ドレインソース 電圧 Vds30V
連続ドレイン電流 Id12A
ドレインソース オン状態 抵抗0.03ohm
トランジスタ ケース タイプTO-252 (DPAK)
トランジスタ 取付表面実装
Rds(on) テスト 電圧10V
ゲート ソース 閾値電圧 最大値2.5V
電力損失40W
ピン 数3ピン
動作温度 最大値175°C
製品 範囲DeepGATE STripFET VI
能力-
0
0
製品概要
注意事項
市場における当製品に対する需要により、リードタイムが延長されました。納期は変動する場合がございます。割引対象外商品です。
技術仕様
チャネル タイプ
P チャネル
連続ドレイン電流 Id
12A
トランジスタ ケース タイプ
TO-252 (DPAK)
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
40W
動作温度 最大値
175°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
30V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.03ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
2.5V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
DeepGATE STripFET VI
0
STD26P3LLH6 の代替製品
1 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000368