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STMICROELECTRONICS SCTL90N65G2V
炭化ケイ素 MOSFET, シングル, N チャネル, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT
- メーカー 部品番号:
- SCTL90N65G2V
- ご注文 コード:
- 3748721
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- 技術データシート:
- SCTL90N65G2V データシート
- ECAD / MCAD
-
製品概要
SCTL90N65G2V is a silicon carbide power MOSFET. This silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature. Typical applications are switching mode power supply, DC-DC converters, and industrial motor control.
- Very fast and robust intrinsic body diode, low capacitances
- Source sensing pin for increased efficiency
- Drain-source breakdown voltage is 650V minimum at VGS = 0V, ID = 1mA
- Static drain-source on-resistance is 24mohm max at VGS = 18V, ID = 40A
- Drain current (continuous) at TC = 25°C is 40A
- Input capacitance is 3380pF typical at VDS = 400V, f = 1MHz, VGS = 0V
- Rise time is 38ns typ at VDD = 400V, ID = 50A, RG = 2.2ohm, VGS = -5V to 18V
- PowerFLAT 8x8 HV package
- Operating junction temperature range from -55 to 175°C
製品情報
技術文書 (2)
梱包形態
カット テープ
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¥4,462.68
(
¥4,908.95
消費税込み)
価格設定を利用できません。カスタマーサービスにお問い合わせしてください。
- 価格:
- 各（カットテープで提供）
Multiple: 1 最小: 1
- 1+
- 5+
- 10+
- 50+
- 100+
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|---|---|
| 1+ | ¥4,462.68 (¥4,908.95) | ( ) |
| 5+ | ¥4,328.26 (¥4,761.09) | ( ) |
| 10+ | ¥4,193.83 (¥4,613.21) | ( ) |
| 50+ | ¥4,059.41 (¥4,465.35) | ( ) |
| 100+ | ¥3,924.98 (¥4,317.48) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|
価格設定を利用できません。カスタマーサービスにお問い合わせしてください。
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