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SCTL90N65G2V
炭化ケイ素 MOSFET, シングル, N チャネル, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥4,791.97 (¥5,271.167) |
| 5+ | ¥4,637.97 (¥5,101.767) |
| 10+ | ¥4,483.96 (¥4,932.356) |
| 50+ | ¥4,329.96 (¥4,762.956) |
| 100+ | ¥4,175.95 (¥4,593.545) |
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製品概要
SCTL90N65G2V is a silicon carbide power MOSFET. This silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature. Typical applications are switching mode power supply, DC-DC converters, and industrial motor control.
- Very fast and robust intrinsic body diode, low capacitances
- Source sensing pin for increased efficiency
- Drain-source breakdown voltage is 650V minimum at VGS = 0V, ID = 1mA
- Static drain-source on-resistance is 24mohm max at VGS = 18V, ID = 40A
- Drain current (continuous) at TC = 25°C is 40A
- Input capacitance is 3380pF typical at VDS = 400V, f = 1MHz, VGS = 0V
- Rise time is 38ns typ at VDD = 400V, ID = 50A, RG = 2.2ohm, VGS = -5V to 18V
- PowerFLAT 8x8 HV package
- Operating junction temperature range from -55 to 175°C
技術仕様
MOSFET モジュール 構成
シングル
連続ドレイン電流 Id
40A
ドレインソース オン状態 抵抗
0.018ohm
ピン 数
5ピン
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
3.2V
動作温度 最大値
175°C
0
チャネル タイプ
N チャネル
ドレインソース 電圧 Vds
650V
トランジスタ ケース タイプ
PowerFLAT
Rds(on) テスト 電圧
18V
電力損失
935W
製品 範囲
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.00018