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POWER INTEGRATIONS SID1102K-TL

MOSFET iDriver, 1200V スケール, 4.75V ~ 5.25V 電源, 5A 出力, 262ns 遅延, eSOP-16

POWER INTEGRATIONS SID1102K-TL

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メーカー 部品番号:
SID1102K-TL
ご注文 コード:
2831807
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SID1102K-TL   データシート
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製品概要

SCALE-iDriver family single channel IGBT and MOSFET gate driver in an eSOP package. Reinforced galvanic isolation is provided by Power Integrations’ revolutionary solid insulator FluxLink technology. Up to 5A peak output drive current enables the product to drive devices with nominal currents of up to 300A. For gate drive requirements that exceed the stand-alone capability of SID1102K, additionally AUXGL and AUXGH output pins can drive external n-channel MOSFETs as a booster stage, giving customers full freedom and control of their system design. Controller (PWM) signals are compatible with 5V CMOS logic, which may also be adjusted to 15 V levels by using external resistor divider. It features 100% production partial discharge test and reinforced insulation meets VDE V 0884-10. Applications include general purpose and servo drives, UPS, solar, welding inverters and power supplies.
  • Highly Integrated, compact footprint
  • Single channel providing up to 5A peak gate drive current
  • Up to 5A IGBT/MOSFET gate driver with reinforced galvanic isolation up to 1200V blocking voltage
  • Auxiliary outputs for external booster stage for increased peak drive current
  • Integrated FluxLink™ technology providing safe isolation between primary and secondary-side
  • Rail-to-rail stabilized output voltage, unipolar supply voltage for secondary-side
  • Suitable for 600V / 650V / 1200V IGBT and MOSFET switches
  • Up to 75KHz switching frequency, propagation delay jitter of ±5ns
  • High common mode transient immunity
  • Undervoltage lock-out protection for primary and secondary-side (UVLO)

注意事項

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製品情報

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:
1チャネル

:
絶縁

:
ハイサイド および ローサイド

:
IGBT, MOSFET

:
16ピン

:
eSOP

:
表面実装

:
-

:
-

:
-

:
4.75V

:
5.25V

:
-40°C

:
125°C

:
262ns

:
262ns

:
SCALE-iDriver

:
-

:
0

:
MSL 3 - 168 hours
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技術文書 (2)

梱包形態 カット テープ

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