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ONSEMI NVHL020N090SC1
炭化ケイ素 MOSFET, EliteSiC, シングル, N チャネル, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
- 製造業者:
- ONSEMI ONSEMI
- メーカー 部品番号:
- NVHL020N090SC1
- ご注文 コード:
- 3367865
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- 技術データシート:
- NVHL020N090SC1 データシート
- ECAD / MCAD
-
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NVHL020N090SC1 is a silicon carbide (SiC) MOSFET.
- 100% UIL tested, AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source on resistance is 20mohm typical at (VGS = 15V, ID = 60A, TJ = 25°C)
- Total gate charge is 196nC typical at (VGS = -5/15V, VDS = 720V, ID = 60A)
- Output capacitance is 296pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 450V)
- Gate resistance is 1.6 ohm typical at (f = 1MHz, TJ = 25°C)
- Turn-on delay time is 40ns typical at (VGS = -5/15V, VDS = 720V, ID = 60A, RG = 2.5 ohm)
- Rise time is 63ns typical at (VGS = -5/15V, VDS = 720V, ID = 60A, RG = 2.5 ohm)
- Drain-to-source breakdown voltage is 900V minimum at (VGS = 0V, ID = 1mA)
- Junction temperature range from -55°C to +175°C
- 3-lead TO-247 package
製品情報
技術文書 (2)
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- 1+
- 5+
- 10+
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|---|---|
| 1+ | ¥3,936.00 (¥4,329.60) | ( ) |
| 5+ | ¥3,894.34 (¥4,283.77) | ( ) |
| 10+ | ¥3,860.79 (¥4,246.87) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|
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