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SFEM064GB1EA1TO-I-HG-121-STD
フラッシュメモリ , MLC NAND, 64 GB, BGA, 153 ピン
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技術仕様
フラッシュメモリ タイプ
MLC NAND
メモリ構成
-
IC ケース/ パッケージ
BGA
クロック 周波数 最大値
200MHz
供給電圧 最小値
2.7V
供給電圧 標準値
-
動作温度 最小値
-40°C
製品 範囲
EM-20
メモリ 密度
64GB
インターフェース
-
ピン 数
153ピン
アクセス時間
-
供給電圧 最大値
3.6V
IC 取付
表面実装
動作温度 最大値
85°C
0
技術文書 (1)
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Germany
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Germany
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85235110
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000001