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XP202A0003MR-G
パワーMOSFET, P チャネル, 30 V, 3 A, 0.045 ohm, SOT-23, 表面実装
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥171.76 (¥188.936) |
| 10+ | ¥134.01 (¥147.411) |
| 100+ | ¥91.4 (¥100.54) |
| 500+ | ¥72.27 (¥79.497) |
| 1000+ | ¥63.19 (¥69.509) |
| 5000+ | ¥62.41 (¥68.651) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥172 (¥189 税込み)
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製品概要
注意事項
市場における当製品に対する需要により、リードタイムが延長されました。納期は変動する場合がございます。割引対象外商品です。
技術仕様
チャネル タイプ
P チャネル
連続ドレイン電流 Id
3A
トランジスタ ケース タイプ
SOT-23
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
1W
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
30V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.045ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
2.6V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
XP202
0
技術文書 (1)
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Japan
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Japan
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000001