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IXYS SEMICONDUCTOR IXFN200N10P
MOSFET トランジスタ, PolarFET, N チャネル, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V
- メーカー 部品番号:
- IXFN200N10P
- ご注文 コード:
- 1427322
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- 技術データシート:
- IXFN200N10P データシート
- ECAD / MCAD
-
製品範囲選択 (Polar(TM) HiPerFET)
この製品範囲のすべてを表示する製品概要
The IXFN200N10P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0, flammability classification
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- High power density
- Space savings
製品情報
技術文書 (2)
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300は25/06/21にさらに多く入手可能
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- 1+
- 5+
- 10+
- 50+
- 100+
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|---|---|
| 1+ | ¥4,328.88 (¥4,761.77) | ( ) |
| 5+ | ¥4,143.77 (¥4,558.15) | ( ) |
| 10+ | ¥3,958.66 (¥4,354.53) | ( ) |
| 50+ | ¥3,881.86 (¥4,270.05) | ( ) |
| 100+ | ¥3,798.90 (¥4,178.79) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|
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