STMicroelectronics の STM32WB および STM32WL シリーズを既に活用しているという方も多いでしょう。ST ではこれらのマイクロコントローラー用の RF 集積型受動デバイス（RF IPD）コンパニオンチップもご提供しております。 ST の集積型受動デバイス（バランおよびフィルタ）は、コスト競争力に優れ、コンパクトなフォームファクタで、電力損失を低減します。 STのバランは、モノリシックRF IPDプロセスを使用して、高品質なRF受動部品を単一のガラス基板上に統合しています。STのRF IPDバランは、高いRF統合を最適化し、システム性能を向上させます。これにより、RFICからアンテナへのマッチングネットワークが簡素化され、統合された高調波フィルターによって、CCC、FCC、ETSI、ARIBなどの主要なEMC規制への適合が支援されます。 RFフロントエンドフィルターは、バンドパスフィルター、ローパスフィルター、ハイパスフィルターなど、さまざまな機能に対応します。STの薄膜RF IPDプロセスを使用することで、RFフィルターをフロントエンドモジュールに簡単に統合できます。このプロセスでは、高品質な受動RF部品を単一のガラスまたは高抵抗シリコン基板に統合します。