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ANALOG DEVICES HMC414MS8GE
RF アンプ, 0Hz ～ 6GHz, 16 dB ゲイン, SOT-89-4, -40 °C ～ 85 °C
- メーカー 部品番号:
- HMC414MS8GE
- ご注文 コード:
- 4030287
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- 技術データシート:
- HMC414MS8GE データシート
- ECAD / MCAD
-
製品情報
技術文書 (1)
製品概要
HMC414MS8GE is a high efficiency GaAs InGaP heterojunction bipolar transistor (HBT) MMIC power amplifier which operate between 2.2 and 2.8GHz. The amplifier is packaged in a low cost, surface mount 8 leaded package with an exposed base for improved RF and thermal performance. With a minimum of external components, the amplifier provides 20dB of gain, +30dBm of saturated power at 32% PAE from a +5V supply voltage. The amplifier can also operate with a 3.6V supply. Vpd can be used for full power down or RF output power/current control. This amplifier is ideal for use as a power amplifier for 2.2 to 2.7GHz applications BLUETOOTH, MMDS.
- Power down capability, low external part count
- Frequency range from 2.2 to 2.8GHz (Vs = 3.6V, TA = +25°C)
- Gain is 20dB (typ, Vs = 3.6V, TA = +25°C)
- Gain variation over temperature is 0.03dB / °C (typ, Vs = 3.6V, TA = +25°C)
- Input return loss is 8dB (typ, Vs = 3.6V, TA = +25°C)
- Output return loss is 9dB and noise figure is 6.5dB (typ, Vs = 3.6V, TA = +25°C)
- Output power for 1dB compression (P1dB) is 25dBm (typ, Vs = 3.6V, TA = +25°C)
- Saturated output power is 27dBm (typ, Vs = 3.6V, TA = +25°C)
- Output third order intercept is 35dBm (typ, Vs = 3.6V, TA = +25°C)
- 8 pin MSOP-EP package, operating temperature range from -40 to +85°C
Footnotes
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- 1+
- 10+
- 25+
- 100+
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- 1000+
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|---|---|
| 1+ | ¥2,150.61 (¥2,365.67) | ( ) |
| 10+ | ¥1,932.73 (¥2,126.00) | ( ) |
| 25+ | ¥1,779.12 (¥1,957.03) | ( ) |
| 100+ | ¥1,631.77 (¥1,794.95) | ( ) |
| 250+ | ¥1,525.18 (¥1,677.70) | ( ) |
| 500+ | ¥1,426.43 (¥1,569.07) | ( ) |
| 1000+ | ¥1,355.89 (¥1,491.48) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
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