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BDX53C
ダーリントン トランジスタ, ダーリントン, NPN, 100 V, 60 W, 8 A, TO-220, 3 ピン
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥197.87 (¥217.657) |
| 10+ | ¥92.55 (¥101.805) |
| 100+ | ¥82.27 (¥90.497) |
| 500+ | ¥64.04 (¥70.444) |
| 1000+ | ¥53.13 (¥58.443) |
| 5000+ | ¥47.84 (¥52.624) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥198 (¥218 税込み)
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製品概要
The BDX53C from STMicroelectronics is a through hole complementary power darlington transistor in TO-220 package. This device manufactured in planar base island technology with monolithic darlington configuration. This transistor features good DC gain and high fT frequency. BDX53C is typically suited for linear, switching industrial equipment and audio amplification.
- Collector to emitter voltage (Vce) is 100V
- Collector current (Ic) is 8A
- Power dissipation (Pd) is 60W
- Collector to emitter saturation voltage of 2V at 3A collector current
- DC current gain (hFE) of 750 at 3A collector current
- Operating junction temperature range from 150°C
技術仕様
トランジスタ極性
NPN
電力損失 Pd
60W
RFトランジスタ ケース
TO-220
DC 電流利得 hFE
750hFE
動作温度 最大値
150°C
能力
-
コレクタ エミッタ間電圧 V(br)ceo
100V
DCコレクタ 電流
8A
ピン 数
3ピン
トランジスタ 取付
スルーホール
製品 範囲
-
0
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.002