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FQP27P06
パワーMOSFET, P チャネル, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, スルーホール
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥433.21 (¥476.531) |
| 10+ | ¥196.92 (¥216.612) |
| 100+ | ¥187.55 (¥206.305) |
| 500+ | ¥160.37 (¥176.407) |
| 1000+ | ¥152.84 (¥168.124) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥433 (¥477 税込み)
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製品概要
The FQP27P06 is a through hole, -60V P channel QFET MOSFET in TO-220 package. This device feature planar stripe and DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supply, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications.
- Low reverse transfer capacitance of typically 120pF
- Low gate charge is typically 33nC
- Drain to source voltage (Vds) of -60V
- Gate to source voltage of ±25V
- Continuous drain current (Id) of -27A
- Power dissipation (Pd) of 120W
- Low on state resistance of 55mohm at Vgs -10V
- Operating temperature range -55°C to 175°C
技術仕様
チャネル タイプ
P チャネル
連続ドレイン電流 Id
27A
トランジスタ ケース タイプ
TO-220
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
120W
動作温度 最大値
175°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
60V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.07ohm
トランジスタ 取付
スルーホール
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
4V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
FQP27P06 の代替製品
1 見つかった製品
関連製品
3 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠Y-Ex
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.00279