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BSS123
パワーMOSFET, N チャネル, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, 表面実装
製品概要
The BSS123 is N channel logic level enhancement mode field effect transistor in SOT-23 package. This product is designed to minimize on state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance thus BSS123 are suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 100V
- Gate to source voltage of ±20V
- Low on state resistance of 1.2ohm at Vgs 10V
- Continuous drain current of 170mA
- Maximum power dissipation of 360mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
170mA
トランジスタ ケース タイプ
SOT-23
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
360mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
100V
ドレインソース オン状態 抵抗
6ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
1.7V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
BSS123 の代替製品
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関連製品
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000036