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2N7000
パワーMOSFET, N チャネル, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, スルーホール
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 5+ | ¥77.91 (¥85.701) |
| 10+ | ¥52.98 (¥58.278) |
| 100+ | ¥27.11 (¥29.821) |
| 500+ | ¥24.93 (¥27.423) |
| 1000+ | ¥20.73 (¥22.803) |
| 5000+ | ¥20.46 (¥22.506) |
価格：それぞれ
最小: 5
複数: 5
¥390 (¥428 税込み)
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製品概要
The 2N7000 is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed current up to 2A. It is also suitable for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
- High saturation current capability
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
200mA
トランジスタ ケース タイプ
TO-92
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
400mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
60V
ドレインソース オン状態 抵抗
5ohm
トランジスタ 取付
スルーホール
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
2.1V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
2N7000 の代替製品
5 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000356