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FDV301N
パワーMOSFET, N チャネル, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, 表面実装
The FDV301N is a surface mount, N channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been especially tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance, this one N channel FET can replace several different digital transistors with different bias resistor values. FDV301N is suitable for low voltage and power management applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 25V
- Gate to source voltage of 8V
- Continuous drain current (Id) of 220mA
- Power dissipation (Pd) of 350mW
- Low on state resistance of 3.1ohm at Vgs 4.5V
- Operating temperature range -55°C to 150°C
- チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id220mA
トランジスタ ケース タイプSOT-23
Rds(on) テスト 電圧4.5V
電力損失350mW
動作温度 最大値150°C
能力-
0
ドレインソース 電圧 Vds25V
ドレインソース オン状態 抵抗4ohm
トランジスタ 取付表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値1.06V
ピン 数3ピン
製品 範囲-
0
2 見つかった製品
4 見つかった製品
- 生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国関税番号：85412900US ECCN:EAR99EU ECCN:NLRRoHS指令 準拠はいRoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はいRoHS
SVHC:0製品コンプライアンス証明書のダウンロード製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000033