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FDC6327C
デュアル MOSFET, N チャネル および P チャネル, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
製品情報
メーカーONSEMI
メーカー部品番号FDC6327C
注文コード9844856
製品ラインナップPowerTrench Series
技術データシート
チャネル タイプN チャネル および P チャネル
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル20V
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル20V
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）2.7A
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）1.9A
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル0.08ohm
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル0.17ohm
トランジスタ ケース タイプSuperSOT
ピン 数6ピン
電力損失 N チャンネル960mW
電力損失 P チャンネル960mW
動作温度 最大値150°C
製品 範囲PowerTrench Series
能力-
0
0
製品概要
The FDC6327C is a dual N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with load switch and DC-to-DC converter applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル および P チャネル
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル
20V
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）
1.9A
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル
0.17ohm
ピン 数
6ピン
電力損失 P チャンネル
960mW
製品 範囲
PowerTrench Series
0
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル
20V
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）
2.7A
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル
0.08ohm
トランジスタ ケース タイプ
SuperSOT
電力損失 N チャンネル
960mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000049