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FDC6321C
デュアル MOSFET, N チャネル および P チャネル, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
製品情報
メーカーONSEMI
メーカー部品番号FDC6321C
注文コード9844848
技術データシート
チャネル タイプN チャネル および P チャネル
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル25V
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル25V
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）680mA
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）460mA
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル0.45ohm
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル1.1ohm
トランジスタ ケース タイプSuperSOT
ピン 数6ピン
電力損失 N チャンネル900mW
電力損失 P チャンネル900mW
動作温度 最大値150°C
製品 範囲-
能力-
0
0
製品概要
The FDC6321C is a dual N/P-channel Digital FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. The device is an improved design especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several digital transistors with difference bias resistors.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル および P チャネル
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル
25V
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）
460mA
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル
1.1ohm
ピン 数
6ピン
電力損失 P チャンネル
900mW
製品 範囲
-
0
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル
25V
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）
680mA
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル
0.45ohm
トランジスタ ケース タイプ
SuperSOT
電力損失 N チャンネル
900mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000113