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FDC6561AN
デュアル MOSFET, N チャネル, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
製品情報
製品概要
The FDC6561AN is a dual N-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for all applications where small size is desirable but especially DC-to-DC conversion in battery powered systems.
- Low gate charge
- Very fast switching
- Small footprint
- Low profile
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル
-
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）
-
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル
-
ピン 数
6ピン
電力損失 P チャンネル
-
製品 範囲
-
0
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル
30V
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）
2.5A
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル
0.082ohm
トランジスタ ケース タイプ
SuperSOT
電力損失 N チャンネル
960mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000043