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画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
製品情報
メーカーDIODES INC.
メーカー部品番号ZXMN6A07FTA
注文コード9525769
技術データシート
チャネル タイプN チャネル
ドレインソース 電圧 Vds60V
連続ドレイン電流 Id1.4A
ドレインソース オン状態 抵抗0.25ohm
トランジスタ ケース タイプSOT-23
トランジスタ 取付表面実装
Rds(on) テスト 電圧10V
ゲート ソース 閾値電圧 最大値3V
電力損失806mW
ピン 数3ピン
動作温度 最大値150°C
製品 範囲-
能力-
0
0
製品概要
ZXMN6A07FTA is a N-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with a fast switching speed, making it ideal for high-efficiency power-management applications. Typical applications include DC-DC converters, power-management functions, relay and solenoid driving, motor controls.
- Low on-resistance, fast switching speed
- Low gate charge, low threshold
- Drain-source voltage is 60V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±20V
- Continuous drain current is 1.4A at VGS = 10V, TA = +25°C
- Pulsed drain current is 6.9A at TA = +25°C
- Continuous source current (body diode) is 1A at TA = +25°C
- Pulsed source current (body diode) is 6.9A at TA=+25°C
- SOT23 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
1.4A
トランジスタ ケース タイプ
SOT-23
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
806mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
60V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.25ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
3V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
ZXMN6A07FTA の代替製品
2 見つかった製品
関連製品
2 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000033