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ZVN4206A
パワーMOSFET, N チャネル, 60 V, 600 mA, 1 ohm, TO-226AA, スルーホール
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|---|---|
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| 10+ | ¥110.78 (¥121.858) |
| 100+ | ¥65.6 (¥72.16) |
| 500+ | ¥60.87 (¥66.957) |
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アイテムのメモ
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製品情報
メーカーDIODES INC.
メーカー部品番号ZVN4206A
注文コード9525475
技術データシート
チャネル タイプN チャネル
ドレインソース 電圧 Vds60V
連続ドレイン電流 Id600mA
ドレインソース オン状態 抵抗1ohm
トランジスタ ケース タイプTO-226AA
トランジスタ 取付スルーホール
Rds(on) テスト 電圧10V
ゲート ソース 閾値電圧 最大値3V
電力損失700mW
ピン 数3ピン
動作温度 最大値150°C
製品 範囲-
能力-
0
0
製品概要
The ZVN4206A is a 60V E-Line N-channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET with 1Ω resistance and 700mW power dissipation.
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
600mA
トランジスタ ケース タイプ
TO-226AA
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
700mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
60V
ドレインソース オン状態 抵抗
1ohm
トランジスタ 取付
スルーホール
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
3V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000166